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VBAT
当使用电池或其他电源连接到VBAT脚上时#xff0c;当VDD断电时#xff0c;可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。如果应用中没有使用外部电池#xff0c;VBAT引脚应接到VDD引脚上。
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表示电路的意思,即接入电路的电压#x…一、概念
VBAT
当使用电池或其他电源连接到VBAT脚上时当VDD断电时可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。如果应用中没有使用外部电池VBAT引脚应接到VDD引脚上。
VCCCcircuit
表示电路的意思,即接入电路的电压
VDDDdevice
表示器件的意思,即器件内部的工作电压
VSSSseries 表示公共连接的意思通常指电路公共接地端电压。 二、器材
2.1、稳压器
2.1.1、12V转5V 78L05 输出极性正最大输入电压30V输出电压5V输出电流100mA 应用电路 2.1.2、12V转5V稳压芯片 78M05 输出极性正。最大输入电压35V。输出电压5V。输出电流500mA。电源纹波抑制比(PSRR)78dB(120Hz)。稳压芯片 5.0V 500mA 。 2.1.3、5V转3.3V 7533-1
输出电压3.3V输出电流1A电源纹波抑制比(PSRR)72dB(120Hz)3.3V固定输出低压差1.1V(typ)Iout1AVin15V(Max)
2.2、三极管
2.2.1、丝印1AM是MMBT3904
晶体管类型NPN。集射极击穿电压(Vceo)40V。集电极电流(Ic)200mA。功率(Pd)200mW。直流电流增益(hFEIc,Vce)10010mA,1V 1AM 100-300。NPN,Vceo40V,Ic0.2A,hfe100~300,丝印1A。 2.2.2、MMBT2222A 1P
晶体管类型NPN集射极击穿电压(Vceo)40V集电极电流(Ic)600mA功率(Pd)300mW NPN,Vceo40V,Ic600mA,RANGE: 100-300 丝印1P作用:放大信号。 1p三极管是晶体管。晶体管是一种固体半导体器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等有时特指双极型器件具有检波、整流、放大、开关. 2.2.3、丝印J3Y三极管的型号是s8050
晶体管类型NPN集射极击穿电压(Vceo)25V 集电极电流(Ic)500mA功率(Pd)300mW直流电流增益(hFEIc,Vce)12050mA,1V L档 120-200 NPN J3Y可以与1AM相互替换但能与1P相互替换1AM是普通的NPN型三极管HP是高性能三极管。
2.3、二极管 2.3.1、S4
1、最大正向电压Vr40V最大正向电流Io350mA。 2、正向电流下的正向电压Vf600mV200mA反向电压Ir5uA30V。 S4二极管还具有高效率、低损耗、稳定性高等优点因此被广泛应用于各种电子设备中。
三、电池管理芯片
3.1、
原理图参考
1、磁珠
型号C43163标称阻抗测试频率0Ω100MHz 直流电阻(RDC)100mΩ VDD:芯片工作的正电压。VDDA芯片工作的模拟电压。VSS芯片工作的负电压。
PCB上的信号走线、电源不可避免的有一些高频噪声这时候就需要磁珠来抑制这些噪声使信号、电源更为的干净。
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