吉安市城乡规划建设局网站,西安网络推广外包,重庆公司买深圳社保,做网站用多大的服务器SSD的存储介质是什么#xff0c;它就是NAND闪存。那你知道NAND闪存是怎么工作的吗#xff1f;其实#xff0c;它就是由很多个晶体管组成的。这些晶体管里面存储着电荷#xff0c;代表着我们的二进制数据#xff0c;要么是“0”#xff0c;要么是“1”。NAND闪存原理上是一…SSD的存储介质是什么它就是NAND闪存。那你知道NAND闪存是怎么工作的吗其实它就是由很多个晶体管组成的。这些晶体管里面存储着电荷代表着我们的二进制数据要么是“0”要么是“1”。NAND闪存原理上是一个CMOS管有两个栅极一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide Layer)的好坏决定着浮栅存储电荷的可靠性也就是NAND闪存的寿命。 目前市面上主要流通的就是4种NAND类型SLC、MLC、TLC、QLC。随着每个寿命从高到低依次是SLCMLCTLCQLC. 以TLC 3D NAND为例当一个存储单元需要存储多位信息时这些位会被赋予不同的编程延迟以允许在相同单元内区分它们。 在这种情况下LSB、CSB和MSB是根据它们的编程延迟来定义的 LSB (Least Significant Bit)最低有效位这是在同一个存储单元中编程延迟最小的位。对于3位的TLC NAND闪存来说LSB通常是第一个被写入的位因为它的编程阈值最低。 CSB (Central Significant Bit)中央有效位位于LSB和MSB之间其编程延迟介于两者之间。在某些编程模式下CSB可能是在LSB之后紧接着被编写的位。 MSB (Most Significant Bit)最高有效位具有最高的编程阈值在同一存储单元中的编程延迟最大。因此它是最后被编写的位。 上面Vt分布中理想情况是每个状态都有数据的均匀分布。实际情况是随着我们对NAND写入数据pattern的不一样对NAND本身可靠性差异也很大。 Case1: 写入全是1的数据写入数据的数据全部集中在3态。这个时候FN隧穿效应最为严重“Fowler-Nordheim stress”这是一种由于强电场导致的隧道氧化层中的应力。在闪存的操作过程中这种应力可能导致隧道氧化层的损坏从而影响闪存的性能和寿命 Case2: 分布在1态和3态这种情况下用ISPP(Incremental Step Pulse Programming)脉冲编程会有影响导致1态向3态偏移严重。 Case3: 是最理想的情况每个状态的比例完全均匀分布。对NAND的可靠性提升是最友好的。
