宁波网站推广工作室电话,户外旅游网站模板,wordpress4.2.2,营销型网站如何建设IP核之RAM
原理图如下 DINA： RAM 端口 A 写数据信号。 ADDRA： RAM 端口 A 读写地址信号，对于单端口 RAM 来说，读地址和写地址共用同该地址线。 WEA： RAM 端口 A 写使能信号，高电平表示向 RAM 中写入数据，低电平表示从 RAM 中读出数据。 ENA：端口 A 的使能信号，高电平…IP核之RAM
原理图如下 DINA： RAM 端口 A 写数据信号。 ADDRA： RAM 端口 A 读写地址信号，对于单端口 RAM 来说，读地址和写地址共用同该地址线。 WEA： RAM 端口 A 写使能信号，高电平表示向 RAM 中写入数据，低电平表示从 RAM 中读出数据。 ENA：端口 A 的使能信号，高电平表示使能端口 A，低电平表示端口 A 被禁止，禁止后端口 A 上的读 写操作都会变成无效。另外 ENA 信号是可选的，当取消该使能信号后， RAM 会一直处于有效状态。 RSTA： RAM 端口 A 复位信号，可配置成高电平或者低电平复位，该复位信号是一个可选信号。 REGCEA： RAM 端口 A 输出寄存器使能信号，当 REGCEA 为高电平时， DOUTA 保持最后一次输出 的数据， REGCEA 同样是一个可选信号。 CLKA： RAM 端口 A 的时钟信号。 DOUTA： RAM 端口 A 读出的数据
RAM读写模块
`timescale 1ns / 1psmodule ram_rw(input clk,
