临沂网站建设公司,单位网站建设费算无形资产吗,wordpress图片展示插件,如何快速学成网站开发CP是把坏的Die挑出来#xff0c;可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。
FT是把坏的chip挑出来#xff1b;检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺#xff0c;很多公司多把CP给省了#xff0c;减少成本。
CP对整片Wafer的每个Die来测试#xff0…CP是把坏的Die挑出来可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。
FT是把坏的chip挑出来检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺很多公司多把CP给省了减少成本。
CP对整片Wafer的每个Die来测试而FT则对封装好的Chip来测试。CP Pass 才会去封装。然后FT确保封装后也Pass。
WAT是Wafer Acceptance Test对专门的测试图形test key的测试通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定
CP是wafer level的chip probing是整个wafer工艺包括backgrinding和backmetalif need对一些基本器件参数的测试如vt阈值电压Rdson导通电阻BVdss源漏击穿电压Igss栅源漏电流Idss漏源漏电流等一般测试机台的电压和功率不会很高
FT是packaged chip level的Final Test主要是对于这个CP passedIC或Device芯片应用方面的测试有些甚至是待机测试
Pass FP还不够还需要做process qual 和product qual CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来这样保证了yield和reliability两方面的提升。 Pass FP这里的Pass FP可能指的是通过Failure Analysis故障分析的过程。在这个过程中对可能存在的故障或问题进行检测和识别并对其进行修复和改进。 process qual过程质量保证(process qual)是指通过严格控制生产或服务过程的质量标准以确保产品或服务的质量达到预期水平。 product qual产品品质保证(product qual)是一种质量控制方法以确保产品或服务的质量符合客户的需求和期望。 CP 测试这里的CP可能指的是Copy Protection复制保护。这是一种保护数字内容免遭未经授权的复制、分发或展示的技术。这种测试的目的是为了确保复制保护机制的有效性和安全性。 MRAMRA可能指的是Memory Read Access内存读取访问。这通常涉及到在计算机内存中读取数据的过程。 chip level在电子工程中chip level通常指的是在芯片级别进行操作或分析。这可能涉及到对集成电路Integrated Circuit或其他微型电子设备进行测试、修复或改进。 Rerepair address这可能指的是在内存中用于修复或替换数据的地址。这通常涉及到数据存储和访问的过程。 Laser Repair激光修复是一种用于修复或替换半导体芯片中损坏部分的工艺。这种技术使用激光束来消除损坏的电路元件并替换为新的、健康的元件。 yield这里指的是生产率或产量。这是衡量生产效率或生产出的产品数量的指标。 reliability可靠性是指产品或服务在特定条件下、在一定时间内完成特定功能的能力。这里的reliability指的是产品或服务的可靠性水平。 •CP是对wafer进行测试检查fab厂制造的工艺水平
•FT是对package进行测试检查封装厂制造的工艺水平
对于测试项来说有些测试项在CP时会进行测试在FT时就不用再次进行测试了节省了FT测试时间
但是有些测试项必须在FT时才进行测试不同的设计公司会有不同的要求
一般来说
•CP测试的项目比较多比较全
•FT测的项目比较少但都是关键项目条件严格。
但也有很多公司只做FT不做CP如果FT和封装yield高的话CP就失去意义了。
在测试方面CP比较难的是探针卡的制作并行测试的干扰问题。
FT相对来说简单一点。
还有一点memory测试的CP会更难因为要做redundancy analysis写程序很麻烦。
CP在整个制程中算是半成品测试目的有2个
•1是监控前道工艺良率
•2是降低后道成本避免封装过多的坏芯片
其能够测试的项比FT要少些。
最简单的一个例子碰到大电流测试项CP肯定是不测的探针容许的电流有限这项只能在封装后的FT测。
不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了可以提高效率所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。
应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。
CP不是制造FAB测的而CP的项目是从属于FT的也就是说CP测的只会比FT少项目完全一样的不同的是卡的SPEC而已
因为封装都会导致参数漂移所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。
还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案
所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的且WAT良率在99%左右才会盲封的。 这里的“DH”指的是“Design House”即设计公司。这些公司通常为电子设备制造商提供芯片设计和芯片组解决方案。它们可能会将wafer晶圆做成几个系列通用的die芯片以提供给不同的客户使用。 “WAT”可能是指“Wafer Acceptance Test”即晶圆接受测试。这是在半导体制造过程中进行的一种测试用于确保晶圆的质量和可靠性。 “device”在这里指的是通过WAT测试后的芯片设备即将wafer封装成一个个独立的芯片。 “盲封”在这里可能指的是在不知道芯片具体功能或规格的情况下进行封装。通常情况下为了确保封装的质量和可靠性需要进行严格的测试和验证。如果公司的晶圆封装成芯片的过程是唯一的且WAT良率在99%左右那么就可以进行盲封即在不了解芯片具体功能或规格的情况下进行封装。 据我所知盲封的DH很少很少风险实在太大不容易受控。
•WATwafer level 的管芯或结构测试•CPwafer level 的电路测试含功能•FTdevice level 的电路测试含功能 CPchip probing FTFinal Test
CP 一般是在测试晶圆封装之前看封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球probing后就没有FT
FT是在封装之后也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。
•CP用proberprobe card。FT是handlersocket CP比较常见的是room temperature25度FT可能一般就是75或90度 CP没有QA buy-off质量认证、验收
CP两方面
•1.监控工艺所以呢觉得probe实际属于FAB范畴
•1.控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分所以把次品在probe中reject掉或者修复最有利于控制成本 •FT: 终测通常是测试项最多的测试了有些客户还要求3温测试成本也最大。至于测试项呢•1.如果测试时间很长CP和FT又都可以测像trim项加在probe能显著降低时间成本当然也要看客户要求。
•1.关于大电流测试呢FT多些但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet一个PAD上十多个needle。
•1.有些PAD会封装到device内部在FT是看不到的所以有些测试项只能在CP直接测像功率管的GATE端漏电流测试Igss CP测试主要是挑坏die修补die然后保证die在基本的spec内function well。FT测试主要是package完成后保证die在严格的spec内能够function。 关于3温测试这是一种特殊的测试方法它要求在三个不同的温度下对产品进行测试通常是常温25℃左右、高温如60℃或70℃和低温如-20℃或-40℃。这种测试的目的是为了检查产品在不同温度下的性能和可靠性以确保产品能在不同环境下正常工作。 关于Trim项Trim在这里可能指的是微调或者校准的意思。在电子产品测试中Trim测试通常指的是对一些可以调整的参数进行微调或校准以确保产品的性能达到最佳。例如在测试一个频率调整的振荡器时Trim测试可能包括在不同的频率设置下测试振荡器的性能以找到最佳的工作频率。 关于加在probe能显著降低时间成本这可能指的是在测试过程中使用一些特定的测试工具或设备probe这些工具或设备可以更快地完成某些测试从而显著降低测试所需的时间和成本。例如使用自动化测试设备进行功能测试可以比手动测试更快、更准确地完成测试从而降低测试时间和成本。 关于客户要求客户要求通常是指在产品设计和生产过程中客户对产品的性能、功能、质量、可靠性等方面的要求。这些要求可能会影响测试的策略和方法例如客户可能要求进行更严格的测试以保证产品的质量和可靠性。 •CP的难点在于如何在最短的时间内挑出坏die修补die。•FT的难点在于如何在最短的时间内保证出厂的Unit能够完成全部的Function。
小结
半导体生产流程由
•晶圆制造•晶圆测试•芯片封装•封装后测试组成
而测试环节主要集中在
•WAT
•CP
•FT
三个环节。 图1 集成电路设计、制造、封装流程示意图 WAT
WATWafer Acceptance Test测试也叫PCMProcess Control Monitoring对Wafer 划片槽Scribe Line测试键Test Key的测试通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定.
例如CMOS的电容电阻 ContactMetal Line 等一般在wafer完成制程前是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据测试方法是用Probe Card扎在Test Key的Metal Pad上Probe Card另一端接在WAT测试机台上由WAT Recipe自动控制测试位置和内容测完某条Test Key后Probe Card会自动移到下一条Test Key直到整片Wafer测试完成。
WAT测试有问题超过SPEC一般对应Fab各个Module制程工艺或者机台Shift例如Litho OVL异常ETCH CD 偏小PVD TK偏大等等。WAT有严重问题的Wafer会直接报废。 WAT测试这是对半导体晶圆Wafer的接受测试用于监控各步工艺是否正常和稳定。它也被称为PCMProcess Control Monitoring是一种通过电性参数来检验半导体制造过程中工艺控制的方法。 划片槽Scribe Line和测试键Test Key这是在半导体制造过程中用于WAT测试的两个关键元素。划片槽是沿着晶圆边缘的窄条用于后续的切割dicing过程。测试键则是设在划片槽内或者边缘的特定区域用于WAT测试。电性参数这些参数包括电容、电阻、接触以及金属线路等这些都是在制造过程中需要监控的重要指标。它们反映了半导体器件的电气特性如电流传导能力、电压承受能力等。 Probe Card这是一种测试工具用于连接WAT测试机台和测试键。它的一端与测试键的金属pad接触另一端连接到WAT测试机台。 WAT Recipe这应该是某种自动控制测试位置和内容的软件或者程序它可以根据预先设定的参数来指导Probe Card进行准确的测试。 SPEC这应该是特定于WAT测试的规格或者标准超出这个规格或者标准可能意味着半导体制造过程中的某些工艺或者机台存在问题。 Module制程工艺或者机台Shift这是指在半导体制造过程中如光刻Litho、蚀刻Etch、薄膜沉积PVD等工艺模块出现问题或者是机台的运行状态发生变化。 Litho OVL异常、ETCH CD 偏小、PVD TK偏大这些都是对半导体制造过程中可能出现的问题的描述。其中Litho OVL异常可能指的是光刻过程中的光学临近效应Optical Proximity Effect异常ETCH CD 偏小可能指的是蚀刻后线条宽度小于预期PVD TK偏大可能指的是薄膜沉积过程中的厚度偏差。 报废如果WAT测试出现严重问题比如大量电性参数超出规格或者连续出现工艺问题那么整片半导体晶圆会被判定为不合格进行报废处理。 IC测试键Test Key是指用于测试半导体芯片上电路性能和可靠性的特定键。这些键通常在芯片制造过程中设置用于在生产线上进行自动化测试。测试键的设计和位置取决于芯片的类型和功能。 通过使用测试键可以测试芯片的电性能、功能和可靠性。测试键通常会连接到芯片上的电路以便在测试期间测量电流、电压和其他电气参数。此外测试键还可以用于验证芯片的功能例如通过施加特定的输入信号并检查输出信号来测试芯片的逻辑功能。 测试键对于确保芯片的质量和可靠性非常重要。通过使用测试键可以检测到制造过程中的缺陷和问题并及时采取措施进行修复和改进。因此测试键是确保半导体芯片质量和性能的重要工具之一。 CP
CPCircuit Probing也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”是对整片Wafer的每个Die的基本器件参数进行测试例如Vt阈值电压Rdson导通电阻BVdss源漏击穿电压Igss栅源漏电流Idss漏源漏电流等把坏的Die挑出来会用墨点Ink标记可以减少封装和测试的成本CP pass才会封装一般测试机台的电压和功率不高CP是对Wafer的Die进行测试检查Fab厂制造的工艺水平。
CP测试程序和测试方法优化是Test Engineer努力的方向下面介绍几种降低CP测试成本的方法。
•1.同一个Probe Card可以同时测多个Die如何排列可以减少测试时间假设Probe Card可以同时测6个Die那么是2×3排列还是3×2或者1×6都会对扎针次数产生影响不同的走针方向也会产生Test时间问题。•2.随着晶圆尺寸越来越大晶圆上的Die越来越多很多公司CP Test会采用抽样检查Sampling Test的方式来减少测试时间至于如何抽样涉及不同的Test Recipe一些大数据实时监控软件可以在测试的同时按照一定算法控制走针方向例如抽测到一个Die失效后Probe Card会自动围绕这个Die周围一圈测试直到测试没有问题再进行下一个Die的抽测这种方法可以明显缩短测试时间。 FT
FTfinal test是对封装好的Chip进行Device应用方面的测试把坏的chip挑出来FT pass后还会进行process qual和product qualFT是对package进行测试检查封装造厂的工艺水平。
FT的良率一般都不错但由于FT测试比CP包含更多的项目也会遇到Low Yield问题而且这种情况比较复杂一般很难找到root cause。
广义上的FT也称为ATEAutomatic Test Equipment一般情况下ATE通过后可以出货给客户但对于要求比较高的公司或产品FT测试通过之后还有SLTSystem Level Test测试也称为Bench Test。
SLT
SLT测试比ATE测试更严格一般是功能测试测试具体模块的功能是否正常。成都中冷低温的ThermoStream TS-780高低温冲击气流仪以速度、精度和可靠性作为基本设计标准提供了非常先进的温度测试能力。
温度转换从-55℃到125℃之间转换约10秒并有更广泛的温度范围-80℃到225℃; 经长期的多工况验证满足更多生产环境和工程环境的要求。
TS-780应用于提供老化测试、特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验用于芯片、微电子器件、集成电路 SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP 等 、闪存 Flash、UFS、eMMC 、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、传感器、小型模块组件等电子元器件/模块冷热测试。 •WAT是在晶圆制造过程中进行的测试通过对Die与Die之间Scribe Line Test Key电学性能的测试来监控Fab制程的稳定性•CP测试是制造完成后封测之前进行的电学测试把坏的Die标记出来减少封装的成本•FT是Die切割打磨封装后进行器件功能性的测试可以评价封测厂的封装水平只有所有的测试都通过后才可以应用到产品上。
附录一芯片量产测试常用“黑话”
1、TO Tape Out流片指提交最终GDSII文件给到Foundry进行fab加工。
2、MPW Multi Project Wafer多项目晶圆将多个使用相同工艺的集成芯片放在同一晶圆片上进行流片制造完成后每个设计可以得到数十片芯片样品多用于出前期工程片。
3、Full Mask 全掩膜即制造流程中全部掩膜都为某集成芯片设计服务小批试产及量产阶段。
4、Shuttle MPW时间每月或每季度固定时间即“班车”。
5、SEAT 一次MPW的最小面积可一次选择多个Seat。
6、Wafer 晶圆多为8寸、12寸。
7、notch 缺口用于判别晶圆方向。
8、Yield 良率CP良率、FT良率、综合良率。
9、CP Circuit Probing、Chip Probing晶圆测试一般遍历测试整片Wafer的每个die确保die满足DC、AC、功能设计要求。一般有多道CP如MCU类芯片CP1、CP2测试FlashCP3测试定制化功能CP4高温测试等。CP测试项理论上较FT测试项多提前筛除Fail die以节省成本且一般情况下CP测试扎针pad少同测Site数多机时成本较FT低。
10、FT Final Test终测、成测对package后的芯片进行定制化测试芯片出厂前最后一道关卡。
11、Foundry 晶圆厂如台积电TSMC。
12、Die wafer切割后的最小单元即封装前的芯片。
13、Chip 芯片即我们见到的封装好后的芯片。
14、IP Intellectual Property Core非网络中所说的IP地址、IP协议而是芯片设计行业中的IP核即知识产权核是可重用设计方法学中的可重用模块如UART、SPI、IIC等。
15、SOC System On Chip片上系统包含CPU、总线、外设等都在一颗芯片内部实现。
16、MCU Microcontroller Unit微控制器单元概念和SOC类似但MCU是芯片类型SOC是设计方式。将CPU、memory、Timer、ADC、DMA等整合在一颗芯片上形成的微型芯片级计算机。
17、RTL register-transferlevel描述同步数字电路的硬件描述语言。
18、Netlist 网表RTL经过综合生成。
19、SDC 设计提供约束文件综合工具需要SDC才能将RTL转换成netlist主要包括芯片工作频率芯片IO时序设计规则特殊路径等。
20、GDS netlist经过后端工具编程版图而版图提交给foundry的就是GDS II
21、Merge 拼接将模块、程序等合并。
22、Margin 边界如Margin Test以确定芯片设计上下限值是否满足需求。
23、OD 针压指CP测试阶段Prober扎在wafer pad上的机械压力值一般根据工艺、晶圆、测试者经验、弹坑实验确定。
24、弹坑 弹坑实验CP厂使用不同的针压力对未扎过针的die进行扎针验证在封装厂进行铝层腐蚀后观测哪组针压下出现弹坑将结果反馈CP厂由其参考实验结果调整在CP测试时施加针压大小。弹坑实验die作报废处理在wafer制程及pad铝层厚度不变情况下只需进行1次弹坑实验。
25、TD Touch down下针CP测试中单次扎针。
26、fab 将设计文件交付工厂生产的过程也代指fab厂。
27、layout 设计。
28、tolerance 容忍度一般在LB布局布线时提到如测试项要求有哪些Pin脚的走线线长要一致阻抗限制等。
29、LB Load BoardATE上放置的根据不同芯片定制的母版用以承载芯片进行批量测试。
30、probe 探针一般指CP阶段给pad扎针的针在针卡上针卡需针对wafer定制。
31、prober 放置并传输wafer的机器CP测试时的设备。
32、Site 测试座位一般指同测数需根据芯片测试所需资源评估同测数量。
33、Socket 测试座、治具芯片放置其中需定制。
34、Kit FT量产测试时使用连接Handler和LB吸取芯片并压紧进行测试后分bin需定制。
35、Handler 机械手安装Kit后设置操作流程自动进行FT测试。
36、ATE Automatic Test Equipment自动化测试设备专用于芯片量产测试量产测试工程师吃饭的家伙。
37、板卡 ATE内部搭载的资源不同板卡不同功能、资源搭配不同板卡可实现各种测试要求。
38、probe card 针卡一般根据芯片pad位置定制针卡分为工程卡和量产卡对应调试阶段和量产阶段插在共板上连接测试机。
39、GU Golden Unit金手指也叫Golden Sample指经过测试验证的good chip可用于环境调试时验证环境是否正常。
40、pitch 中心距间距die pitch、pad pitch。
41、cable cable连接线一般一端连接测试机母板一端连接芯片测试板。
42、IQC Incoming Quality Control来料检验。
43、bake 烘烤CP测试中可选步骤。
44、pad die的pinpad数量多于pin数。
45、pin chip的pin。
46、map 一般用在wafer测试中显示测试结果pass/fail、分bin等。
47、UV 紫外线照射封装时进行memory芯片除外。
48、自主回收 CP、FT测试中对第一次测试fail die的处理将对其自动进行重新复测称为自主回收。
49、package 封装wafer做完CP测试后会在封装厂经过磨划、抛光、切割等工序形成die同时将CP测试中暴露出的fail die挑粒最后对good die进行封装进行FT测试。
50、Bin 分类测试时pass/fail芯片放置或编号作区分分为HW Bin和SW BinBin号由工程师定义一般与DC、AC等测试参数相关。
51、Spacing 间距。
